Az új 65 nanométeres gyártási technológiában (egy nanométer a méter egy-milliárdnyi része) lévő tranzisztorok 35 nm-es hosszúságú kapukkal rendelkeznek (amely be és kikapcsolja a tranzisztort), amelyek hozzávetőlegesen 30 százalékkal kisebbek, mint a 90 nm technológia esetén. Összehasonlításként: 100 ilyen kapu egy emberi vörösvérsejt átmérőjével megegyező nagyságú. Az új gyártási technológia megnöveli az egy chipbe sűrített apró tranzisztorok számát. Megteremti az Intel számára azt az alapot, melyre a jövő többmagos processzorait építheti, illetve amely által következő generációs termékeibe további innovatív képességeket építhet, mint például a virtualizáció és a fejlettebb biztonsági lehetőségek. Az Intel új 65 nanométeres gyártási eljárása emellett számos egyedülálló energiatakarékos és teljesítménynövelő tulajdonságot is biztosít. A 65 nm-es technológiát előreláthatólag 2005-ben vezetik be világszerte.

Új fogyasztáscsökkentő képességek

Moore törvénynek megfelelően az egy chipben lévő tranzisztorok száma nagyjából minden második évben megduplázódik, amely új képességeket, megnövekedett teljesítményt és csökkentett tranzisztoronkénti költséget jelent. Ahogy a tranzisztorok egyre kisebbé válnak, a teljesítmény és a hőeloszlatás egyre inkább fejlődik. Az Intel az integrált energiatakarékos képességekkel próbál megfelelni ezen kihívásoknak a 65 nm-es technológia bevezetésekor. Ezen tulajdonságok kritikusak az energiagazdaságos számítástechnikához és a jövő kommunikációs termékeihez.

Az Intel feszített szilícium technológiáját – melyet először a 90 nm-es eljárás során használatak – a 65 nm-es technológiában is továbbfejlesztette. A feszített szilícium második generációja 10-15 százalékkal növeli a tranzisztorok teljesítményét, a szivárgás növekedése nélkül. Adott teljesítmény mellett a tranzisztorokban létrejövő szivárgás a 90 nm-es tranzisztorokhoz képest negyedére csökkent. Az Intel 65 nanométeres tranzisztorai csökkentett kapuhosszúsággal (gate) rendelkeznek, a kapuoxid (gate oxide) vastagsága 1,2 nanométer, amely által nő a teljesítmény, illetve csökken a kapu kapacitása. A csökkentett kapacitás végső soron csökkenti a chip aktív fogyasztását. Az új technológia segítségével nyolcrétegű alkatrészek állíthatók elő réz alapú átkötésekkel – a chipen belül nő a jelek gyorsasága, illetve csökken az energiaigény.

Az Intel emellett „alvó tranzisztorokat” is beépített a 65 nm-es SRAM-okba. Az alvó tranzisztorok lezárják a SRAM nagyobb építőkockáihoz irányuló áramot, amikor ezeket nem használják; így jelentős chip energiaigény-igény forrást küszöbölnek ki. Ezen különösen előnyös az akkumulátoros eszközök, különösen a laptopok számára.