A „kinyújtott szilícium” (Strained Silicon) nevű technológiával széthúzzák az anyagot, felgyorsítva ezzel a tranzisztorokon áthaladó elektronok sebességét, melynek következtében megnő a félvezetők teljesítménye és csökken az áramfelvétele. Ez az IBM-nek az ötödik áttörést jelentő félvezető-technológiai újítása az elmúlt négy évben. Az IBM előrejelzése szerint a „kinyújtott szilícium” technológia 2003-ra jelenhet meg a termékekben. Az új technológia azt használja ki, hogy a vegyületekben levő atomok igyekeznek egymáshoz kötődni. Ha a hordózó anyagra úgy viszik fel a szilíciumot, hogy az atomok távol esnek egymástól, a szilíciumatomok megnyúlnak, hogy egymáshoz igazodhassanak, megnyújtva (kifeszítve) ezzel a szilíciumot. A kifeszített szilíciumban az elektronok kisebb ellenállásba ütköznek, és akár 70 százalékkal is gyorsabban áramolhatnak, melynek következtében a chipek akár 35 százalékkal is gyorsabbak lehetnek -- anélkül, hogy csökkentettük volna a tranzisztorok méretét. „Ezeknek a technológiáknak a piacra vitele legalább annyira fontos, mint a szilícium teljesítményének javítására tett erőfeszítések” -- mondta Bijan Davari, az IBM Microelectronics félvezető-fejlesztési alelnöke. „Ezek révén tartani tudjuk egy-két éves előnyünket az iparágban a félvezető-technológiák terén.”