Az elmúlt években a Bosch továbbfejlesztette a szilícium-karbid chipeket és bővítette gyártási, valamint tisztatéri kapacitásait. A vállalat mintegy 3 milliárd eurót fordított félvezető-beruházásokra. A fejlesztések az európai IPCEI (Közös Európai Érdeket Szolgáló Fontos Projektek) mikroelektronikai és kommunikációs technológiai támogatási program keretében valósulnak meg. A németországi Reutlingenben a Bosch 2021 óta fejleszti és gyártja a modern, 200 milliméteres lapkán készülő harmadik generációs SiC-chipeket. 2025 elején a Bosch egy második szilícium-karbid chipgyárat vásárolt a kaliforniai Roseville-ben, ahol jelenleg csúcstechnológiás, rendkívül összetett gyártóberendezések kiépítése zajlik. A vállalat további 1,9 milliárd eurót fordít az amerikai gyár fejlesztésére, amely a tervek szerint még idén megkezdi első SiC-chipjeinek szállítását, kezdetben tesztelésre szánt mintapéldányokkal. „A jövőben a Bosch ebből a két gyárból fogja szállítani innovatív szilícium-karbid chipjeit” – mondta Heyn. Ez stabilabb és rugalmasabb ellátási láncokat eredményez az autóipar felgyorsuló elektromos átállása során. Középtávon a Bosch azt tervezi, hogy több százmillió darabra növeli az SiC teljesítményelektronikai félvezetők gyártási kapacitását.
A siker kulcsa az egyedülálló Bosch-eljárás
A Bosch egyedülálló gyártási szakértelmével kisebb méretű, de nagyobb teljesítményű chipeket tud előállítani. A vállalat adaptálta az 1994 óta létező maratási eljárását, amelyet az egész iparág Bosch-eljárásként ismer. Az eredetileg érzékelőkhöz kifejlesztett eljárás lehetővé teszi, hogy nagy pontosságú függőleges struktúrákat alakítsanak ki a szilícium-karbidban. Ez jelentősen növeli a chipek teljesítménysűrűségét, ami a harmadik generációs szilícium-karbid chipek egyik legfontosabb előnye.
