Ez az új 65 nanométeres (a nanométer a méter ezermilliomod része) eljárása nagyobb teljesítményű és alacsonyabb energiafelhasználású tranzisztorokat, az Intel feszített szilícium második generációs változatát, nagy sebességű réz átkötéseket és alacsony k-együtthatójú dielektrikumokat egyesít. A 65 nm-es eljárás lehetővé teszi az Intel számára, hogy megkétszerezze az egyetlen lapkán elhelyezhető tranzisztorok számát. „A 65 nanométeres eljárással jobb termékeket készíthetünk alacsonyabb áron, tovább folytathatjuk a kutatásokat és kiterjeszthetjük Moore törvényének érvényességét” – mondta Dr. Sunlin Chou, az Intel műszaki és gyártási részlegének rangidős alelnöke és vezérigazgatója.

A gyártástechnológia részletei

Továbbfejlesztett tranzisztorok: Az Intel új 65 nanométeres eljárása mindössze 35 nm kapuhosszúságú tranzisztorokat eredményez, amelyek a legkisebb és legmagasabb teljesítményt nyújtó tömeges gyártású CMOS-tranzisztorok lesznek. Összehasonlításul: a ma gyártott legfejlettebb tranzisztorok az Intel Pentium 4 processzoraiban találhatók, méretük 50 nm. A kicsi, gyors tranzisztorok a nagyon gyors processzorok építőegységei.

Nyújtott szilíciumlapkák: Az Intel nagy teljesítményt nyújtó feszített szilícium második generációs változatát építette be az eljárásba. A feszítettt szilícium nagyobb vezérlőárama révén a gyártási költségek mindössze két százalékos növelésével fokozható a tranzisztorok sebessége.

Réz átkötések és alacsony k-együtthatójú dielektrikumok: Az eljárás nyolc réteg és réz átkötések integrálásával és alacsony k-együtthatójú dielektromos anyagok felhasználásával növeli a lapkán belüli jelsebességet és csökkenti az energiafelhasználást.

Az Intel 65 nanométeres eljárását teljes mértékben funkcionális 4 megabites SRAM-lapkák készítésére használta fel, amelyek rendkívül kicsi, 0,57µm²-os cellamérettel rendelkeznek. A kis SRAM cellák nagyobb gyorsítótárak beépítését teszik lehetővé a processzorokba, amelyek teljesítménye így megnövekszik. Az SRAM cellák robusztus működési karakterisztikával rendelkeznek, stabil zajhatárral, ami igen kedvező ki-bekapcsolási jellemzőket eredményez. Minden SRAM memóriacellában hat tranzisztor van; ezek közül tízmillió férne el egy négyzetmilliméteren, vagyis durván egy golyóstoll hegyén.

„Az Intel 65 nm-es eljárásának fejlesztése jól halad, a fejlesztőüzemben képesek vagyunk ezeknek a szeleteknek és lapkáknak az előállítására” – nyilatkozta Mark Bohr, az Intel folyamattervezési és integrációs részlegének igazgatója. – „2005-ben várakozásunk szerint mi leszünk az első 65 nanométeres gyártási technológiával rendelkező cég.” A 65 nm-es félvezetőket az Intel 300 mm-es (D1D nevű) fejlesztőüzemében állították elő az oregoni Hillsboróban, ahol az eljárást kifejlesztették. A D1D az Intel legújabb fejlesztőüzeme, itt található a cég legnagyobb, több mint 16 ezer négyzetméteres külön tisztaszobája (ez nagyjából három és fél futballpálya területének felel meg).

Az Intel házon belüli maszkkészítő csapata kritikus szerepet játszik a kifinomult maszkok készítésében, amelyek a jelenlegi 193 nanométeres hullámhosszú litográfiai felszereléseket felhasználhatóvá teszik a 65 nanométeres technológiához is. A vállalat várhatóan újra fel fogja használni a jelenlegi 90 nanométeres eljárásban használt 193 és 248 nm-es litográfiai felszereléseket is, valamint bizonyos kibővített 193 nm-es eszközöket is. Mindez csökkenti az implementációs költségeket és kiforrott eszközöket biztosít a gyártás beindításához. A 65 nm-es eljárás jó úton halad a tömeggyártás felé a D1D-ben és onnan kerül majd át a 2005-ös induláshoz a többi 300 mm-es üzembe.