A kínai ChangXin Memory Technologies (CXMT) memóriachip-gyártó jelentős előrelépésről számolt be egy új chipstruktúra fejlesztésében. A memóriasűrűség növelését lehetővé tevő technológián versenytársai, a Samsung Electronics és az SK Hynix is dolgoznak. A kínai memóriachip-gyártó az év végéig tervezi bemutatni DDR5 RDIMM memóriamoduljának új generációját.
A CXMT közlése szerint struktúrájuk kialakításának alapja a vállalat által fejlesztett Vertical Surrounding Gate (VSG) tranzisztor. Jelentősen csökken a cellák területe, ami növeli a tárolási sűrűséget – írja az Erstemarket.
